Uundaji wa chembechembe za SiC mbaya, za kati na laini zinapaswa kuwa 5:1:4. Black SiC kwa ujumla huchaguliwa kama malighafi ya kutengeneza matofali ya silicon ya carbudi; muundo wake wa kemikali ni kama ifuatavyo: SiC 98.0%, bure C 0.5%, Fe 0.2%, na SiO₂ bure 0.6%. Michakato ya utengenezaji hutofautiana kulingana na njia ya kuunganisha. Muhtasari mfupi wa michakato ya njia tofauti za kuunganisha ni kama ifuatavyo.
(1) Silicon nitridi-matofali ya silicon yaliyounganishwa: Matofali ya kijani yanayoundwa kutoka kwa chembe kubaya, za kati, na laini za SiC na unga laini wa silikoni hutupwa katika anga safi ya N₂ katika nyuzi 1370 . Hii hutokeza tofali lenye -SiC skeleton na - na -Si₃N₄ matrix. Kiasi kidogo cha silicon iliyobaki na SiO₂ inabaki kwenye tumbo; maudhui ya jamaa ya vipengele hivi hutofautiana na mtengenezaji.
(2) Matofali ya silicon carbide: SiC, poda ya silicon, na poda ya kaboni huchanganywa na kufinyangwa kulingana na uwiano maalum, kisha kurushwa kwa digrii 1400 katika angahewa ya kupunguza. Katika hali nyingi, kurusha hufanywa na matofali yaliyozikwa kwenye kaboni. Wakati wa kurusha, tofali yenye -SiC skeleton na laini-iliyosawazishwa -SiC tumbo hutengenezwa. -SiC huundwa kupitia majibu ya unga laini wa silicon na unga mwembamba wa kaboni wakati wa kurusha; bidhaa hii pia ina kiasi kidogo cha mabaki ya silicon na kaboni.
(3) Silicon oxynitride-matofali ya silicon yaliyounganishwa: Wakati wa kuandaa bechi kwa matofali haya, uwiano wa poda laini ya silicon inayotumiwa ni ya chini kuliko ile ya silicon carbide.